距離三星首度發(fā)布 3D V-NAND 芯片已經(jīng)過去了四年多，
期間這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)有了長足的發(fā)展。
時至今日，1Tb 的 V-NAND 芯片已經(jīng)開發(fā)完成，
而三星也宣布對應(yīng)的產(chǎn)品將會從明年開始量產(chǎn)。
跟之前最大的 512Gb 芯片相比，
這一代的新品容量又翻了一番。
而且按照三星的說法，
在有了 1TB 的 V-NAND 之后，
他們將能通過 16 層堆疊的方式生產(chǎn)出 2TB 的快閃內(nèi)存。
相信在不久的將來，
家用 PC 甚至手機(jī)的用戶將都能從中獲益。
而對三星自身而言，
應(yīng)該也意味著半導(dǎo)體業(yè)務(wù)會迎來新的業(yè)績增長點(diǎn)吧。
可是最重要的是這項(xiàng)技術(shù)什么時候用于三星手機(jī)，
是大家特別期待的，
但是有著三星強(qiáng)有力的后盾技術(shù)，
我相信這一天會很快！
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